500V – Sigma Electrónica https://www.sigmaelectronica.net Componentes Electrónicos Wed, 22 Jul 2026 14:47:05 +0000 es hourly 1 https://wordpress.org/?v=7.0.4 https://www.sigmaelectronica.net/wp-content/uploads/2016/12/cropped-favicon-1-32x32.png 500V – Sigma Electrónica https://www.sigmaelectronica.net 32 32 FDL100N50F https://www.sigmaelectronica.net/producto/fdl100n50f/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/fdl100n50f/#respond Mon, 07 Oct 2013 09:18:14 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/fdl100n50f/ MOSFET de potencia canal N 500V 100A para fuentes switching, inversores y control de motores de alta corriente

The post FDL100N50F appeared first on Sigma Electrónica.

]]> FDL100N50F MOSFET de Potencia Canal N 500V 100A Fairchild

El FDL100N50F es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por Fairchild, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Con capacidad de manejar hasta 500V y 100A, este componente es ideal para proyectos de electrónica de potencia donde se requiere conmutación eficiente y control preciso de cargas pesadas. Su robusto empaque TO-264 garantiza excelente disipación térmica y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

  • Voltaje drain-source (VDSS) de 500V para aplicaciones de alta tensión
  • Corriente continua de drenador (ID) de 100A a 25°C
  • Disipación de potencia de 2500W a 25°C
  • Voltaje gate-source (VGSS) de ±30V para control versátil
  • Empaque TO-264 optimizado para montaje en disipadores de calor
  • Baja resistencia en estado activo para mínimas pérdidas
  • Tecnología MOSFET de canal N para conmutación rápida
  • Excelente estabilidad térmica y alta eficiencia energética

Especificaciones técnicas

  • Modelo: FDL100N50F
  • Fabricante: Fairchild Semiconductor
  • Tipo: MOSFET Canal N
  • Voltaje drain-source máximo (VDSS): 500V
  • Voltaje gate-source (VGSS): ±30V
  • Corriente de drenador continua (ID): 100A a 25°C
  • Potencia disipada (PD): 2500W a 25°C
  • Empaque: TO-264
  • Configuración: 3 terminales (Gate, Drain, Source)

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
  • Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
  • Control de motores DC y AC de alta corriente
  • Convertidores DC-DC elevadores y reductores
  • Sistemas de soldadura por inversor
  • Cargadores de baterías industriales
  • Equipos de tracción eléctrica
  • Amplificadores de audio clase D de alta potencia
  • Sistemas de calefacción por inducción
  • Variadores de frecuencia industriales

El FDL100N50F es la solución perfecta para ingenieros y técnicos que buscan un MOSFET confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de alta tensión, corriente robusta y excelente capacidad de disipación lo convierten en un componente esencial para aplicaciones industriales y profesionales. ¡Adquiere tu FDL100N50F ahora y lleva tus proyectos de potencia al siguiente nivel! Disponible con envío a toda Colombia.

Compartir

The post FDL100N50F appeared first on Sigma Electrónica.

]]> https://www.sigmaelectronica.net/producto/fdl100n50f/feed/ 0 IRF840 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf840/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf840/#respond Tue, 08 Jun 2010 14:16:42 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf840/ Transistor MOSFET de potencia IRF840 canal N, 500V 8A, ideal para control de motores, fuentes switching y aplicaciones de conmutación de alta tensión

The post IRF840 appeared first on Sigma Electrónica.

]]> MOSFET IRF840 HEXFET de Potencia Canal N 500V 8A

El IRF840 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier con tecnología HEXFET®, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo de altas tensiones. Este componente electrónico es fundamental en proyectos de electrónica de potencia, control de motores DC, fuentes conmutadas y circuitos inversores, ofreciendo excelente rendimiento y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

  • Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
  • Baja resistencia en conducción RDS(on) de solo 0.850Ω, minimizando pérdidas por calor
  • Alta velocidad de conmutación ideal para PWM y control de frecuencia
  • Encapsulado TO-220 estándar, fácil montaje en disipador
  • Excelente relación costo-beneficio para proyectos profesionales y DIY
  • Amplio rango de temperatura de operación

Especificaciones técnicas

  • Modelo: IRF840
  • Fabricante: International Rectifier
  • Tipo: MOSFET de potencia canal N
  • Voltaje Drain-Source (VDSS): 500V
  • Corriente de Drain continua (ID): 8A
  • Resistencia Drain-Source en conducción (RDS(on)): 0.850Ω
  • Encapsulado: TO-220
  • Configuración: Canal N enhancement mode

Aplicaciones

  • Control de velocidad de motores DC de media y alta potencia
  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC
  • Circuitos inversores para sistemas de energía solar
  • Controladores PWM para iluminación LED de alta potencia
  • Drivers para cargas inductivas y resistivas
  • Sistemas de control industrial y automatización
  • Amplificadores de audio clase D
  • Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores

El MOSFET IRF840 es la solución perfecta para ingenieros, técnicos y makers que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su disponibilidad inmediata y precio competitivo lo convierten en una opción ideal para prototipos y producción. ¡Adquiere tu IRF840 ahora y lleva tus proyectos al siguiente nivel!

Compartir

The post IRF840 appeared first on Sigma Electrónica.

]]> https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf840/feed/ 0 IRFP22N50A https://www.sigmaelectronica.net/producto/irfp22n50a/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irfp22n50a/#respond Wed, 17 Feb 2010 07:49:42 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irfp22n50a/ Mosfet de potencia IRFP22N50A canal N 500V 22A para fuentes switching, inversores y control de motores de alta potencia

The post IRFP22N50A appeared first on Sigma Electrónica.

]]> IRFP22N50A Mosfet HEXFET® de Potencia Canal N 500V 22A

El IRFP22N50A es un transistor Mosfet de potencia de tecnología HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Este componente electrónico de última generación ofrece un rendimiento excepcional en conmutación rápida, baja resistencia en conducción y alta capacidad de manejo de potencia, convirtiéndolo en la solución ideal para proyectos profesionales y aplicaciones industriales que demandan eficiencia y confiabilidad.

Características principales

  • Tecnología HEXFET® avanzada de International Rectifier que garantiza máxima eficiencia
  • Canal N de alta velocidad de conmutación para aplicaciones críticas
  • Resistencia drain-source ultra baja de 0.23Ω que minimiza pérdidas por conducción
  • Capacidad de corriente continua de 22 amperios para cargas exigentes
  • Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica y fácil montaje
  • Diseño robusto que asegura larga vida útil en condiciones extremas
  • Compatible con drivers estándar de Mosfet para facilitar la implementación

Especificaciones técnicas

  • Fabricante: International Rectifier
  • Modelo: IRFP22N50A
  • Voltaje Drain-Source (VDSS): 500V
  • Corriente de Drain (ID): 22A continua
  • Resistencia Drain-Source en conducción (RDS(on)): 0.23Ω típica
  • Disipación de potencia (PD): 277W a 25°C
  • Voltaje Gate-Source (VGS): ±30V máximo
  • Tipo de canal: N
  • Encapsulado: TO-247AC (3 pines)

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
  • Inversores de corriente para sistemas solares y energía renovable
  • Controladores de motores DC y sistemas de tracción eléctrica
  • Convertidores DC-DC para aplicaciones industriales
  • Balastos electrónicos para iluminación profesional
  • Sistemas UPS y protección de energía
  • Amplificadores de audio clase D de alta fidelidad
  • Cargadores de baterías de alta corriente
  • Equipos de soldadura por inversor
  • Automatización industrial y control de cargas pesadas

El IRFP22N50A representa la mejor opción para ingenieros y técnicos en Colombia que buscan un Mosfet de potencia confiable y de alto rendimiento. Su excelente relación precio-calidad y especificaciones profesionales lo hacen perfecto tanto para prototipos como para producción en serie. ¡Adquiere tu IRFP22N50A ahora y lleva tus proyectos electrónicos al siguiente nivel con componentes de calidad internacional!

Compartir

The post IRFP22N50A appeared first on Sigma Electrónica.

]]> https://www.sigmaelectronica.net/producto/irfp22n50a/feed/ 0