Descripción:

El BLF175 es un transistor MOSFET RF de potencia desarrollado por NXP (anteriormente Philips Semiconductors), diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en las bandas HF y VHF. Este dispositivo está optimizado para trabajar en amplificadores de radiofrecuencia de alta potencia, ofreciendo alta ganancia, excelente estabilidad térmica y gran confiabilidad en aplicaciones de transmisión continua.

Gracias a su capacidad para soportar desadaptaciones de carga (mismatch), baja distorsión y elevada robustez, el BLF175 es ampliamente utilizado en transmisores de radio, amplificadores lineales, equipos de comunicaciones, radioaficionados y sistemas industriales de RF.

Características:

• Modelo: BLF175.
• Fabricante: NXP Semiconductors / Philips.
• Tipo: MOSFET RF de potencia N-Channel.
• Tecnología: VDMOS de enriquecimiento.
• Voltaje de alimentación típico: 28 V.
• Potencia de salida RF: hasta 175 W.
• Rango de frecuencia: HF y VHF.
• Alta ganancia de potencia.
• Baja distorsión por intermodulación.
• Excelente estabilidad térmica.
• Soporta desadaptación total de carga (full load mismatch).
• Metalización en oro para mayor confiabilidad.
• Encapsulado cerámico de potencia con brida para disipación térmica.
• Ideal para amplificadores lineales de RF y transmisores de comunicaciones.

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MOSFET de potencia. La geometría eficiente y procesamiento único de este último diseño de «Estado del arte» logra: muy baja resistencia en estado activado combinada con alta trans conductancia; energía inversa superior y recuperación de diodos dv/dt capacidad.
Ventajas de los MOSFET como el control de voltaje, muy rápido Conmutación y estabilidad de temperatura de los parámetros eléctricos . Son muy adecuados para aplicaciones tales como conmutación de energía. suministros, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de impulsos de alta energía.

ESPECIFICACIONES:

• Estilo de montaje: Through Hole.
• Paquete / Cubierta: TO-204AA-2.
• Polaridad del transistor: N-Channel.
• Número de canales: 1 Channel.
• Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 400 V.
• Id – Corriente de drenaje continua: 14 A.
• Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 300 mOhms.
• Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V.
• Temperatura de trabajo mínima: – 55 C.
• Temperatura de trabajo máxima: + 150 C.
• Dp – Disipación de potencia : 150 W.
• Tiempo de caída: 130 ns.
• Transconductancia hacia delante – Mín.: 6 S.
• Altura: 7.74 mm, Longitud: 39.37 mm, Ancho: 25.53 mm.
• Tiempo de subida: 190 ns.
• Tiempo de retardo de apagado típico: 170 ns.
• Tiempo típico de demora de encendido: 35 ns.
• Peso de la unidad: 6,500 g.

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Transistor de efecto campo diseñado especialmente para otorgar una respuesta rápida ofreciendo una alta fiabilidad. Incorpora un diodo «drain-source» optimizado para una conmutación suave, minimizando las perdidas de voltaje y reduciendo los tiempos de recuperación. Puede soportar hasta 33 A de corriente de drenado continua (Id) y hasta ±30 V de voltaje gain- source. Ideal para proyectos como conversores buck, PFC o boost, interruptores único o doble tipo foward o conversores de retroceso.

Especificaciones: 

• Voltaje drain – source: 1200V.
• Corriente continua de drenado: 33 A.
• Voltaje de impulso: 10V.
• Rds On: 320m Ohm @25A 10V.
• Vgs: 5V @2.5mA.
• Gate charge: 560 nC @10V.
• Capacitancia de entrada: 18200 pF@ 25V.
• Disipación de potencia: 960 W.
• Rango de temperatura: -55 °C ~ +150°C.
• Empaque: SOT-227-4.

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Transistor mosfet canal N, unipolar y tecnología HiperFET.

Especificaciones:

• Tensión disruptiva entre drenaje y fuente(Vds): 500V.
• Corriente de drenaje continua(Id): 100A.
• Resistencia entre drenaje y fuente(Rds On): 49 mΩ.
• Tensión entre puerta y fuente(Vgs): 30V.
• Tensión umbral entre puerta y fuente(Vgs th): 5V.
• Empaque: PLUS-264-3.
• Polaridad del transistor: Canal N.
• Carga de puerta(Qg): 240 nC.
• Temperatura de trabajo mínima: -55ºC.
• Temperatura de trabajo máxima: +150ºC.
• Disipación de potencia(Dp) : 1.25 kW.

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El IRFP240 es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier con tecnología HEXFET®, diseñado específicamente para aplicaciones de alta eficiencia en conmutación de potencia. Este componente electrónico ofrece una excelente combinación de baja resistencia en estado encendido y alta capacidad de corriente, convirtiéndolo en la solución ideal para proyectos de electrónica de potencia que requieren confiabilidad y rendimiento superior.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia RDS(on) de solo 0.18Ω que minimiza pérdidas de potencia
• Capacidad de corriente continua de drenador de 20A
• Voltaje drenador-fuente de hasta 200V para aplicaciones de media tensión
• Disipación de potencia de 150W con adecuada refrigeración
• Encapsulado TO-247AC robusto con excelente disipación térmica
• Corriente de avalancha de 20A para protección en transitorios
• Tiempos de conmutación rápidos ideales para fuentes switching

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP240
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Fabricante: International Rectifier
• Voltaje drenador-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenador-fuente en conducción RDS(on): 0.18Ω máximo
• Corriente continua de drenador (ID): 20A
• Disipación de potencia (PD): 150W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 20A
• Encapsulado: TO-247AC de 3 pines

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Inversores de voltaje DC-AC para sistemas solares
• Convertidores DC-DC buck y boost
• Control de velocidad de motores DC de mediana potencia
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Amplificadores de audio clase D
• Cargadores de baterías inteligentes
• Sistemas de control industrial y automatización
• Proyectos de electrónica de potencia DIY y profesionales

El IRFP240 es el componente perfecto para ingenieros, técnicos electrónicos y makers que buscan un MOSFET de potencia confiable y de alto rendimiento. Su tecnología HEXFET® garantiza operación eficiente con mínimas pérdidas, mientras que su robusto encapsulado TO-247AC facilita el montaje en disipadores de calor. Ideal para todo tipo de proyectos de electrónica de potencia en Colombia. ¡Adquiere tu IRFP240 ahora y lleva tus proyectos al siguiente nivel de eficiencia!

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El IRFZ44N es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con la tecnología HEXFET® de International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren alta eficiencia en conmutación y bajo consumo energético. Este componente electrónico es ampliamente utilizado en proyectos de electrónica de potencia, sistemas de control y automatización industrial debido a su excelente relación entre resistencia en conducción y capacidad de corriente.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia de conducción RDS(on) de solo 17.5mΩ, minimizando pérdidas por calor
• Alta capacidad de corriente continua de drenador de 49A
• Encapsulado TO-220 estándar, fácil de montar y disipar calor
• Excelente velocidad de conmutación para aplicaciones de alta frecuencia
• Protección contra corriente de avalancha de 25A
• Compatible con lógica de control de 5V y microcontroladores
• Ideal para diseños de fuentes conmutadas y convertidores DC-DC

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFZ44N
• Tipo: MOSFET HEXFET® de potencia, canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 55V
• Resistencia Drenador-Fuente en conducción (RDS(on)): 17.5mΩ
• Corriente continua de drenador (ID): 49A
• Disipación de potencia (PD): 94W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 25A
• Encapsulado: TO-220

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Control de velocidad de motores DC de mediana y alta potencia
• Inversores de voltaje DC-AC para sistemas solares
• Convertidores DC-DC buck y boost
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y otros microcontroladores
• Sistemas de iluminación LED de potencia
• Cargadores de baterías inteligentes
• Automatización industrial y robótica
• Amplificadores de audio clase D

El MOSFET IRFZ44N es la solución perfecta para ingenieros, técnicos electrónicos, estudiantes y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos. Su bajo costo y excelentes características lo convierten en una opción ideal tanto para prototipos como para producción. ¡Adquiere tu IRFZ44N hoy mismo y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel!

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Usa la tecnología DMOS de alta densidad. Diseñados para minimizar la resistencia de estado activado y proporcionar un rendimiento de conmutación robusto, fiable y rápido. Pueden utilizarse en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400mA DC y pueden suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A. Ideal para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puerta de MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

Especificaciones: 

• Voltaje drain – source: 60 V.
• Voltaje drain – gate: 60 V.
• Voltaje gate – source: 20 V.
• Máxima corriente drain: 200 mA.
• Máxima disipación de potencia: 400 mW.
• Rango de temperatura: – 55 °C ~ +150 °C.
• Empaque: TO – 92.

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El IRFZ14 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñada para lograr baja resistencia de encendido y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación. Con una tensión de ruptura de 60V y una corriente de drenador de 10A, el IRFZ14 es una opción confiable para circuitos de control de potencia, accionamiento de motores DC, fuentes conmutadas y reguladores de carga. Su empaque TO-220 facilita la disipación de calor y el montaje en radiadores o directamente sobre tarjetas de circuito impreso.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier, optimizada para baja resistencia en estado de conducción y conmutación rápida
• Tensión drenador-fuente (V_DSS) de 60V, adecuada para sistemas de 12V, 24V y 48V
• Resistencia de encendido R_DS(on) de 200mΩ, que reduce las pérdidas por conducción y el calentamiento del componente
• Corriente de drenador continua (I_D) de 10A, suficiente para cargas de potencia media
• Disipación máxima de potencia (P_D) de 43W en empaque TO-220 con disipador térmico adecuado
• Tensión de compuerta (V_GS) de ±20V, compatible con drivers de compuerta estándar y señales de 10V a 15V

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (V_DSS): 60V
• Corriente de drenador continua (I_D): 10A
• Resistencia drenador-fuente en conducción (R_DS(on)): 200mΩ
• Disipación de potencia (P_D): 43W
• Tensión de compuerta (V_GS): ±20V
• Empaque: TO-220

Aplicaciones

• Control de velocidad de motores DC en robótica, drones y automatización industrial
• Conmutación en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de baja y media potencia
• Reguladores de carga para paneles solares y sistemas de batería de 12V o 24V
• Accionamiento de cargas inductivas como solenoides, relés, bobinas y electroválvulas
• Circuitos de protección y corte electrónico de corriente en sistemas embebidos
• Etapas de potencia en inversores, variadores y convertidores DC-DC

El IRFZ14 es una solución robusta y ampliamente probada para ingenieros, técnicos y diseñadores que requieren un MOSFET de potencia canal N confiable en proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de tensión de trabajo de 60V, corriente de 10A y baja resistencia de conducción lo hace ideal tanto para prototipos de laboratorio como para producción en serie, en aplicaciones industriales, automotrices y de consumo que operen con tensiones de hasta 60V.

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El IRFP90N20D es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñado para manejar altas corrientes y tensiones en aplicaciones de electrónica de potencia. Con una tensión drenador-fuente de 200V y una corriente de drenador de 94A, el IRFP90N20D ofrece baja resistencia de conducción y alta capacidad de disipación, lo que lo convierte en una solución robusta para circuitos que exigen conmutación eficiente en entornos industriales, de telecomunicaciones y energías renovables.

Características principales

• Resistencia de encendido RDS(on) de solo 23mΩ, minimizando pérdidas por conducción y generación de calor
• Corriente de drenador continua de 94A, apta para cargas de potencia elevada sin degradación del dispositivo
• Disipación de potencia de 580W en encapsulado TO-247, con excelente transferencia térmica hacia el disipador
• Tensión drenador-fuente VDSS de 200V, adecuada para circuitos de media tensión en aplicaciones industriales
• Tensión de puerta VGS de ±30V, compatible con la mayoría de drivers de compuerta estándar del mercado
• Corriente de avalancha repetitiva IAR de 56A, que aporta protección intrínseca ante transitorios de tensión

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tecnología: HEXFET®
• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (VDSS): 200V
• Corriente de drenador (ID): 94A
• Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 23mΩ
• Disipación de potencia (PD): 580W
• Tensión de puerta (VGS): ±30V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 56A
• Encapsulado: TO-247

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia en equipos industriales y telecomunicaciones
• Inversores de corriente para sistemas fotovoltaicos, UPS y respaldo energético
• Control de velocidad de motores DC y etapas de potencia en variadores de frecuencia
• Cargadores de baterías industriales y sistemas de almacenamiento de energía
• Convertidores DC-DC de alta eficiencia en topologías buck, boost y puente completo
• Accionamientos industriales y etapas de salida en amplificadores de audio de alta potencia

El IRFP90N20D es la elección indicada para ingenieros y técnicos que requieren un MOSFET de potencia con baja impedancia de conducción, alta robustez térmica y compatibilidad con drivers estándar. Su encapsulado TO-247 facilita el montaje sobre disipadores y su combinación de parámetros lo hace versátil en diseños modernos de electrónica de potencia, desde proyectos de energía renovable hasta sistemas industriales de alta demanda eléctrica.

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El IRFP360 es un transistor MOSFET de potencia de tecnología HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo eficiente de altas corrientes y voltajes. Este componente electrónico es la solución ideal para ingenieros, técnicos y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un dispositivo confiable para proyectos de electrónica de potencia, sistemas de energía renovable, control de motores y fuentes de alimentación conmutadas.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia y confiabilidad
• Canal N tipo enhancement mode para fácil control mediante señal positiva
• Baja resistencia en estado encendido (RDS(on) = 200mΩ) que minimiza pérdidas por conducción
• Capacidad de corriente continua de drenador de 23 amperios
• Alta velocidad de conmutación para aplicaciones de frecuencias elevadas
• Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica
• Amplio rango de temperatura de operación para ambientes exigentes
• Protección contra avalancha para mayor robustez en condiciones adversas

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP360
• Fabricante: International Rectifier
• Tipo: MOSFET HEXFET® de Potencia, Canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 400V
• Resistencia Drenador-Fuente en conducción (RDS(on)): 200mΩ máximo
• Corriente de Drenador continua (ID): 23A a 25°C
• Disipación de potencia (PD): 280W a 25°C
• Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 23A
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)
• Temperatura de operación: -55°C a +175°C

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
• Controladores de velocidad para motores DC y BLDC
• Convertidores DC-DC buck, boost y buck-boost
• Cargadores de baterías de alto rendimiento
• Sistemas de soldadura por arco e inductivos
• Amplificadores de audio clase D
• Control de cargas resistivas e inductivas industriales
• Prototipos y proyectos de robótica avanzada
• Sistemas de calefacción por inducción

El IRFP360 es la elección perfecta para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia. Su combinación de alto voltaje, corriente robusta y baja resistencia en conducción lo convierte en un componente versátil y confiable. Ideal tanto para aplicaciones industriales como para proyectos maker y de prototipado. ¡Adquiere tu IRFP360 ahora y lleva tus diseños electrónicos al siguiente nivel con la calidad garantizada de International Rectifier! Envíos a toda Colombia.

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The post IRFP360 appeared first on Sigma Electrónica.