Descripción:

El AO4842 es un MOSFET de potencia de doble canal N integrado en un encapsulado SOIC-8 compacto. Gracias a su baja resistencia de conducción (RDS(on)) y su reducida carga de compuerta, es ideal para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, convertidores DC-DC, fuentes de alimentación conmutadas, protección de baterías, equipos portátiles y circuitos de gestión de energía. Su configuración dual permite ahorrar espacio en la PCB y simplificar el diseño de sistemas electrónicos compactos.

Características:

• Modelo: AO4842.
• Tipo: MOSFET Dual N-Channel.
• Voltaje Drain-Source (VDS): 30V.
• Corriente de drenaje (ID): hasta 7.7A por canal.
• Resistencia RDS(on): 21 mΩ típ. @ VGS = 10V.
• Resistencia RDS(on): 30 mΩ típ. @ VGS = 4.5V.
• Voltaje Gate-Source (VGS): ±20V.
• Encapsulado: SOIC-8 / SOP-8.
• Tecnología Trench MOSFET de alta eficiencia.
• Baja carga de compuerta para conmutación rápida.
• Temperatura de operación: hasta 150°C.
• Ideal para convertidores Buck, gestión de baterías, fuentes conmutadas y aplicaciones de potencia compactas.
• Diseñado para aplicaciones de rectificación síncrona y sistemas de alimentación de alta eficiencia.

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Semiconductor discreto, transistor – bipolar (BJT) – Simple, transistor PNP.

Especificaciones:

• Transistor bipolar (BJT) NPN
• Voltaje: 25 V.
• Corriente: 1,5 A.
• Potencia: 625 mW.
• Montaje en superficie SOT-23.
• Corriente – Colector (Ic) (Máx.) : 1,5A.
• Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.): 25V.
• Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV a 80mA, 800mA.
• Corriente: corte del colector (máx.): 100nA.
• Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V.
• Frecuencia – Transición: 100 MHz.
• Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ).

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Mosfet canal N BVSS123LT1G  100 voltios 170mA, utilizado en aplicaciones automotrices y  Cambio de Control.
Dispositivo libre de plomo y cumple con RoHS.

Especificaciones:

• Estilo de montaje: SMD/SMT.
• Paquete / Cubierta: SOT-23-3.
• Número de canales: 1 Channel.
• Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V.
• Id – Corriente de drenaje continua: 170 mA.
• Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 6 Ohms.
• Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V.
• Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V.
• Qg – Carga de puerta: -.
• Temperatura de trabajo mínima: – 55 C.
• Temperatura de trabajo máxima: + 150 C.
• Dp – Disipación de potencia : 225 mW.
• Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns.
• Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns.
• Peso de la unidad: 8 mg

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Arreglo de 7 transistores NPN Darlington de alto voltaje y alta corriente, los transistores darlington son de colector abierto y tienen emisores comunes. Cada canal puede manejar hasta 500mA y picos de 600mA. Tiene diodos de supresión para cargas inductivas. Empaque 16-SOIC.

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Circuito integrado que integra un transistor NPN y un par de resistores para simplificar circuitos ideal para diseños con poco espacio donde se necesita un driver o una interfaz de paso. Muy usado en circuitos Quectel.

Caracteristicas:

• Vcc 50V
• Ic(max) 100mA
• R1 4.7Kohm
• R2 4.7Kohm
• Encapsulado tipo SOT-416FL (EMT3F)
• Disipa hasta 150mW

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El BC817-25L es un transistor NPN de propósito general diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos de baja potencia. Gracias a su encapsulado compacto SOT-23 de montaje superficial, es ideal para diseños electrónicos de alta densidad, donde el ahorro de espacio y la eficiencia son esenciales.

Especificaciones eléctricas máximas:

• • Tensión Colector-Emisor (VCEO): 45 V
  • Tensión Colector-Base (VCBO): 50 V
  • Tensión Emisor-Base (VEBO): 5.0 V
  • Corriente de Colector Continua (IC): 500 mA

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Diseñado para minimizar la resistencia de estado activado y mantener un rendimiento de conmutación superior, haciéndolo ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia. Caracterizado por una baja resistencia de encendido, baja tensión de umbral de puerta, baja capacitancia de entrada, una velocidad de conmutación rápida. Ideal para aplicaciones de control de motores o administradores de energía.

Especificaciones: 

• Voltaje drain – source: 60 V.
• Voltaje drain – gate: 60 V.
• Voltaje gate – source: 20 V.
• Máxima corriente drain: 210 mA.
• Máxima disipación de potencia: 540 mW.
• Rango de temperatura: – 55 °C ~ +150 °C.
• Empaque: SOT-23.

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El MMBT3906 es un transistor PNP de propósito general, ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos de baja potencia. Este dispositivo compacto ofrece una solución eficiente para diversas necesidades electrónicas.

Características principales:

• Tipo de transistor: PNP de propósito general.
• Voltaje máximo colector-emisor: -40 V.
• Voltaje máximo colector-base: -40 V.
• Voltaje máximo emisor-base: -6.0 V.
• Corriente máxima de colector: -200 mA.
• Potencia máxima disipada: 350 mW.
• Encapsulado: SOT-23.

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El MMBT3904 es un transistor NPN de propósito general, ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos de baja potencia. Este dispositivo compacto ofrece una solución eficiente para diversas necesidades electrónicas.

Características principales:

• Tipo de transistor: NPN de propósito general.
• Voltaje máximo colector-emisor: 40 V.
• Voltaje máximo colector-base: 60 V.
• Voltaje máximo emisor-base: 6.0 V.
• Corriente máxima de colector: 200 mA.
• Potencia máxima disipada: 350 mW.
• Encapsulado: SOT-23.

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Especificaciones
id- Corriente de drenaje continua: -5,3V
Vds -Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: -30V
Rds On- Resistencia entre drenaje y fuente: 50mOhhms
Polaridad del transistor: Canal-P
Vds- Tensión disruptiva entre puerta y fuente: 25V
Temperatura de trabajo máxima: +175 C
Disipación de potencia: 2.5W

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