Descripción:

El BLF175 es un transistor MOSFET RF de potencia desarrollado por NXP (anteriormente Philips Semiconductors), diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en las bandas HF y VHF. Este dispositivo está optimizado para trabajar en amplificadores de radiofrecuencia de alta potencia, ofreciendo alta ganancia, excelente estabilidad térmica y gran confiabilidad en aplicaciones de transmisión continua.

Gracias a su capacidad para soportar desadaptaciones de carga (mismatch), baja distorsión y elevada robustez, el BLF175 es ampliamente utilizado en transmisores de radio, amplificadores lineales, equipos de comunicaciones, radioaficionados y sistemas industriales de RF.

Características:

• Modelo: BLF175.
• Fabricante: NXP Semiconductors / Philips.
• Tipo: MOSFET RF de potencia N-Channel.
• Tecnología: VDMOS de enriquecimiento.
• Voltaje de alimentación típico: 28 V.
• Potencia de salida RF: hasta 175 W.
• Rango de frecuencia: HF y VHF.
• Alta ganancia de potencia.
• Baja distorsión por intermodulación.
• Excelente estabilidad térmica.
• Soporta desadaptación total de carga (full load mismatch).
• Metalización en oro para mayor confiabilidad.
• Encapsulado cerámico de potencia con brida para disipación térmica.
• Ideal para amplificadores lineales de RF y transmisores de comunicaciones.

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El STW20NK50Z es un transistor MOSFET de potencia N-Channel diseñado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta eficiencia. Fabricado con tecnología SuperMESH de STMicroelectronics, ofrece baja resistencia en conducción, alta capacidad de corriente y excelente rendimiento en conmutación rápida.

Este componente es ampliamente utilizado en fuentes conmutadas (SMPS), inversores, PFC (corrección de factor de potencia), drivers de motores y aplicaciones industriales de potencia. Incluye protección Zener integrada entre compuerta y fuente, lo que mejora su resistencia a picos de voltaje y descargas electrostáticas.

Según hoja de datos oficial, está optimizado para operación en sistemas exigentes donde se requiere alta confiabilidad y eficiencia energética.

Características:

• Tipo: MOSFET N-Channel SuperMESH.
• Voltaje Drain-Source (VDS): 500 V.
• Corriente de drenaje (ID): hasta 20 A (a temperatura de carcasa).
• Resistencia RDS(on): ~0.23 Ω típica.
• Potencia máxima: 190 W.
• Encapsulado: TO-247.
• Tecnología: STMicroelectronics SuperMESH.
• Protección: diodos Zener internos en compuerta (ESD y transientes).
• Alta capacidad de dv/dt para conmutación exigente.
• Baja capacitancia interna para mejor eficiencia.
• Alta capacidad de avalancha (100% probado).
• Aplicaciones: SMPS, inversores, PFC, control de motores y potencia industrial.

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El STP6NA60 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de potencia y conmutación de alta velocidad. Soporta altos voltajes y corrientes moderadas, lo que lo hace ideal para fuentes conmutadas (SMPS), inversores, drivers de motor y equipos de electrónica de potencia. Su baja resistencia interna y alta eficiencia permiten un funcionamiento confiable en circuitos exigentes.

Características:

• Tipo: MOSFET N-Channel (modo de enriquecimiento).
• Voltaje Drain-Source (VDS): 600V.
• Corriente de drenaje (ID): hasta 6.5A.
• Resistencia RDS(on) típica: ~1 Ω.
• Alta velocidad de conmutación.
• Voltaje Gate-Source: ±30V.
• Alta resistencia a avalanchas eléctricas.
• Baja capacitancia interna para mejor eficiencia.
• Encapsulado tipo TO-220 (según versión).
• Ideal para fuentes conmutadas (SMPS), inversores y control de potencia.
• Aplicaciones en equipos industriales, soldadura y motores.

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Es un transistor NPN de silicio epitaxial de alta tensión fabricado por onsemi (anteriormente Fairchild). En encapsulado TO‑92, es ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en entornos con tensión elevada. Posee una tensión Vsub de 400 V y una corriente de colector continua de 300 mA, lo que lo hace apto para sistemas de control, fuentes conmutadas o inversores. El valor típico del grado B (BU) es apto para montaje a través de agujero (THT), siendo una opción económica y robusta para múltiples proyectos.

Especificaciones técnicas

• Polaridad: NPN, transistor bipolar de propósito general

• Tensión colector-base (VCBO): 500 V

• Tensión colector-emisor (VCEO): 400 V

• Tensión emisor-base (VEBO): 6 V

• Corriente colector máxima (IC): 300 mA

• Potencia de disipación (PD):

  • 625 mW a 25 °C (ambiente)

  • 1.5 W montado en disipador o carcasa térmica

• Ganancia de corriente DC (h_FE):

  • Min. 40 @ 1 mA/10 V

  • 50–200 @ 10 mA/10 V

  • 45 @ 50 mA/10 V

  • 40 @ 100 mA/10 V

• Voltaje de saturación V_CE(sat):

  • 0.40 V @ 1 mA / 0.1 mA

  • 0.50 V @ 10 mA / 1 mA

  • 0.75 V @ 50 mA / 5 mA

• Capacitancia de salida (C_ob): 7 pF @ 1 MHz

• Temperatura de funcionamiento: –55 °C hasta +150 °C (Junción)

• Encapsulado: TO‑92‑3, montaje through-hole

• Cumplimiento: Libre de plomo, sin halógenos y RoHS

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El IRFP250 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y media tensión. Con capacidad de manejar hasta 30 amperios de corriente continua y voltajes de hasta 200V, este componente es la solución ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, drivers de motor DC y sistemas de control de potencia. Su baja resistencia en estado ON de apenas 75 miliohms garantiza mínimas pérdidas por conducción y alta eficiencia energética.

Fabricado con tecnología HEXFET de International Rectifier, el IRFP250 ofrece excelente rendimiento térmico y capacidad de conmutación rápida, haciéndolo perfecto para circuitos PWM de alta frecuencia. Su robusto encapsulado TO-247 facilita la disipación de calor y permite montaje sencillo en disipadores térmicos estándar.

Características principales

• Tecnología HEXFET de alta eficiencia y confiabilidad
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de 75mΩ para mínimas pérdidas
• Capacidad de corriente continua de drenador de 30A
• Voltaje drenador-fuente de 200V para aplicaciones de media tensión
• Disipación de potencia de 214W con refrigeración adecuada
• Encapsulado TO-247 robusto y fácil de montar
• Tiempos de conmutación rápidos para aplicaciones de alta frecuencia
• Rango de voltaje compuerta-fuente de ±20V

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP250 / IRFP250N
• Tipo: MOSFET HEXFET de potencia, canal N
• Voltaje drenador-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenador-fuente en ON (RDS(on)): 75mΩ máximo
• Corriente continua de drenador (ID): 30A
• Corriente de avalancha (IAR): 30A
• Disipación de potencia (PD): 214W a 25°C
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media potencia
• Inversores DC-AC para sistemas solares y UPS
• Convertidores DC-DC Buck, Boost y Buck-Boost
• Drivers y controladores de motores DC brushless
• Cargadores de baterías de alta corriente
• Sistemas de control PWM para iluminación LED de potencia
• Amplificadores de audio clase D
• Soldadoras por punto y sistemas de calentamiento por inducción
• Controladores de velocidad para motores industriales

El Mosfet IRFP250 es un componente esencial para diseñadores e ingenieros electrónicos que buscan rendimiento y confiabilidad en sus proyectos de potencia. Su excelente relación precio-desempeño lo convierte en la opción preferida para aplicaciones industriales, automotrices y de energías renovables. ¡Adquiere tu IRFP250 ahora y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel con un componente probado y confiable!

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Transistor de silicio NPN Darlington, diseñado para aplicaciones que requieren una ganancia extremadamente alta.

Especificaciones:

• Voltaje colector-base (VCBO): 30V.
• Voltaje colector-emisor (VCES): 30V.
• Voltaje del emisor-base (VEBO):10V.
• Corriente de colector continua (IC): 500mA.
• Disipación de energía (PD): 625 mW.
• Temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento (TJ): -65°C ∼150 °C.
• Resistencia térmica: 200Ω.

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El transistor TIP31C hace parte de la familia de semiconductores de potencia en encapsulado plástico TO-220 de muy alto desempeño que puede usarse en diseños relacionados con aplicaciones de audio y conmutación rápida. Su complemento es el TIP32C.

Caracteristicas:

• Transistor tipo: NPN
• Corriente máxima de colector: 3A
• Voltaje máximo Colector-Emisor: 100V
• Voltaje de saturación colector-emisor (Max) @,Ib,Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• Máxima potencia: 2W
• Temperatura de operación máxima: 150°C
• Encapsulado TO-220

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transistor bipolar tipo BJT en juntura PNP para aplicaciones de conmutación y lineales de media potencia integrado en un encapsulado tipo TO-126.

Características:

• Potencia de disipación total 12.5W.
• Voltaje máximo Colector-Emisor 45VDC.
• Encapsulado TO-126.
• Máxima temperatura de operación 150°C.

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Bajo voltaje de saturación Colector-Emisor. Usado para propósito general o como amplificador de audio.

I_C: 25A.

V_CE: 100V (Máx).

Potencia: 125W.

Frecuencia: 3MHz.

Empaque: TO-247-3.

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El IRF630 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por VISHAY, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y voltaje. Este componente electrónico es una solución confiable y eficiente para proyectos que requieren control de cargas eléctricas, desde fuentes de alimentación conmutadas hasta sistemas de control de motores DC. Con una capacidad de manejo de hasta 200V y 9 amperios continuos, el IRF630 se convierte en una opción versátil para ingenieros, técnicos y aficionados a la electrónica en Colombia.

Gracias a su bajo valor de resistencia en conducción (RDS on) de 400mΩ, este MOSFET minimiza las pérdidas de energía durante la operación, lo que se traduce en mayor eficiencia y menor generación de calor. Su empaque TO-220AB facilita la instalación en circuitos impresos y permite la colocación de disipadores de calor cuando sea necesario para aplicaciones de alta potencia.

Características principales

• Voltaje drenaje-fuente (VDS) de hasta 200V para aplicaciones de alto voltaje
• Corriente de drenaje continua de 9 amperios a 25°C
• Baja resistencia en conducción de 400mΩ para máxima eficiencia
• Potencia máxima de disipación de 74W
• Rápida velocidad de conmutación ideal para aplicaciones PWM
• Empaque TO-220AB estándar de fácil montaje
• Fabricado por VISHAY, garantía de calidad y confiabilidad
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos profesionales y educativos

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRF630
• Fabricante: VISHAY
• Tipo: MOSFET de potencia Canal N
• Voltaje drenaje-fuente (VDS): 200V
• Corriente de drenaje continua (ID): 9A a 25°C
• Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS on): 400mΩ
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Potencia máxima de disipación: 74W
• Empaque: TO-220AB
• Temperatura de operación: -55°C a +175°C

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC
• Control de motores DC y drivers de potencia
• Inversores y UPS (sistemas de alimentación ininterrumpida)
• Control de iluminación LED de alta potencia mediante PWM
• Reguladores de voltaje y circuitos de protección
• Amplificadores de audio clase D
• Sistemas de carga de baterías
• Controladores de calentadores y cargas resistivas
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores
• Automatización industrial y domótica

El IRF630 es un componente esencial para cualquier banco de trabajo de electrónica. Su versatilidad y robustez lo hacen perfecto tanto para prototipos como para productos finales en aplicaciones industriales y comerciales. Si buscas un MOSFET confiable, eficiente y de excelente calidad para tus proyectos en Colombia, el IRF630 de VISHAY es la elección correcta. ¡Añádelo a tu carrito ahora y lleva tus proyectos electrónicos al siguiente nivel!

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