Es un transistor NPN de silicio epitaxial de alta tensión fabricado por onsemi (anteriormente Fairchild). En encapsulado TO‑92, es ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en entornos con tensión elevada. Posee una tensión Vsub de 400 V y una corriente de colector continua de 300 mA, lo que lo hace apto para sistemas de control, fuentes conmutadas o inversores. El valor típico del grado B (BU) es apto para montaje a través de agujero (THT), siendo una opción económica y robusta para múltiples proyectos.

Especificaciones técnicas

• Polaridad: NPN, transistor bipolar de propósito general

• Tensión colector-base (VCBO): 500 V

• Tensión colector-emisor (VCEO): 400 V

• Tensión emisor-base (VEBO): 6 V

• Corriente colector máxima (IC): 300 mA

• Potencia de disipación (PD):

  • 625 mW a 25 °C (ambiente)

  • 1.5 W montado en disipador o carcasa térmica

• Ganancia de corriente DC (h_FE):

  • Min. 40 @ 1 mA/10 V

  • 50–200 @ 10 mA/10 V

  • 45 @ 50 mA/10 V

  • 40 @ 100 mA/10 V

• Voltaje de saturación V_CE(sat):

  • 0.40 V @ 1 mA / 0.1 mA

  • 0.50 V @ 10 mA / 1 mA

  • 0.75 V @ 50 mA / 5 mA

• Capacitancia de salida (C_ob): 7 pF @ 1 MHz

• Temperatura de funcionamiento: –55 °C hasta +150 °C (Junción)

• Encapsulado: TO‑92‑3, montaje through-hole

• Cumplimiento: Libre de plomo, sin halógenos y RoHS

Compartir

The post KSP44 appeared first on Sigma Electrónica.

El transistor TIP31C hace parte de la familia de semiconductores de potencia en encapsulado plástico TO-220 de muy alto desempeño que puede usarse en diseños relacionados con aplicaciones de audio y conmutación rápida. Su complemento es el TIP32C.

Caracteristicas:

• Transistor tipo: NPN
• Corriente máxima de colector: 3A
• Voltaje máximo Colector-Emisor: 100V
• Voltaje de saturación colector-emisor (Max) @,Ib,Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
• Máxima potencia: 2W
• Temperatura de operación máxima: 150°C
• Encapsulado TO-220

Compartir

The post TIP31C appeared first on Sigma Electrónica.

Bajo voltaje de saturación Colector-Emisor. Usado para propósito general o como amplificador de audio.

I_C: 25A.

V_CE: 100V (Máx).

Potencia: 125W.

Frecuencia: 3MHz.

Empaque: TO-247-3.

Compartir

The post TIP35C appeared first on Sigma Electrónica.

• Transistor NPN de Silicio.
• Usado como Amplificador de audio de baja potencia.
• V_CBO: 60v (voltaje colector-base).
• V_CEO: 40v (voltaje colector-emisor).
• V_EBO: 7v (voltaje base-emisor).
• I_C: 3 Amperios.
• I_B: 1 Amperio.
• Empaque: TO-126.

Compartir

The post MJE180 appeared first on Sigma Electrónica.

El BC337-25 es un transistor bipolar de unión (BJT) NPN de propósito general fabricado por FAIRCHILD, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos electrónicos de baja y media potencia. Este componente semiconductor es ampliamente utilizado en proyectos de electrónica, automatización, audio y control de dispositivos gracias a su excelente relación entre rendimiento y precio.

Características principales

• Transistor bipolar NPN de propósito general
• Encapsulado TO-92 de fácil montaje en PCB y protoboard
• Ganancia de corriente (hFE) mínima de 250 (sufijo -25)
• Bajo costo y alta disponibilidad en el mercado colombiano
• Fabricado por FAIRCHILD, garantizando calidad y confiabilidad
• Compatible con circuitos de 5V y voltajes superiores
• Excelente respuesta en frecuencia para aplicaciones de audio

Especificaciones técnicas

• Tipo: Transistor BJT NPN
• Voltaje Colector-Emisor (VCEO): 45V
• Voltaje Colector-Base (VCBO): 50V
• Voltaje Emisor-Base (VEBO): 5V
• Corriente de Colector (IC): 800mA continua
• Corriente de Colector pico: 1A
• Ganancia de corriente (hFE): Mínimo 250
• Potencia de disipación: 625mW
• Encapsulado: TO-92 (3 pines)
• Fabricante: FAIRCHILD

Aplicaciones

• Amplificadores de audio de baja potencia
• Circuitos de conmutación y control de cargas
• Drivers para LEDs y displays de 7 segmentos
• Interfaces entre microcontroladores y dispositivos externos
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y PIC
• Fuentes de alimentación reguladas
• Osciladores y temporizadores
• Circuitos de automatización industrial y domótica
• Preamplificadores y etapas de señal en equipos de audio
• Prototipos educativos y proyectos de electrónica

El transistor BC337-25 es un componente esencial para cualquier ingeniero, técnico o aficionado a la electrónica en Colombia. Su versatilidad, especificaciones robustas y bajo precio lo convierten en la opción ideal para una amplia variedad de aplicaciones. Adquiere tu BC337-25 ahora y lleva tus proyectos electrónicos al siguiente nivel con componentes de calidad profesional.

Compartir

The post BC337-25 appeared first on Sigma Electrónica.

• Vce: 250V.
• Vcb: 400V.
• Veb: 5V.
• Ic: 16A.
• Pd: 250W.
• Empaque TO-3.

Compartir

The post MJ15024 appeared first on Sigma Electrónica.

Transistor NPN, RF de potencia.Diseñado para banda ancha en gran señal, y etapas de amplificador predivisor en rangos de frecuencia entre 200MHz y 500MHz.

• Potencia de salida 20W.
• Ganancia de potencia 10dB (min).
• Eficiencia 50% (min).
• Sistema de metalización en oro para alta confiabilidad.
• Vce 33V, Vcb 60V, Veb 4V, Ic 2.2A, Pd 55W.

Compartir

The post MRF323 appeared first on Sigma Electrónica.

El TIP41C es un transistor bipolar NPN de potencia media diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos que requieren manejo de corrientes considerables. Con su robusto empaque TO-220, este componente se ha convertido en una opción confiable para ingenieros, técnicos y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un semiconductor versátil y económico para sus proyectos.

Este transistor ofrece excelentes características eléctricas que lo hacen ideal para controlar cargas de potencia media, garantizando un rendimiento estable y duradero en condiciones de trabajo exigentes. Su diseño permite una fácil disipación de calor cuando se monta adecuadamente sobre un disipador térmico.

Características principales

• Transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de potencia media
• Empaque TO-220 que facilita el montaje y disipación térmica
• Alta ganancia de corriente que permite controlar cargas significativas con pequeñas señales de entrada
• Excelente relación precio-rendimiento para proyectos electrónicos
• Amplia disponibilidad y compatibilidad con diseños estándar de la industria
• Construcción robusta que garantiza larga vida útil

Especificaciones técnicas

• Tipo: Transistor NPN de potencia
• Voltaje colector-emisor (Vce): 100V
• Voltaje colector-base (Vcb): 100V
• Voltaje emisor-base (Veb): 5V
• Corriente de colector continua (Ic): 6A
• Potencia de disipación (Pc): 65W
• Empaque: TO-220 (ideal para montaje con disipador)
• Configuración: 3 terminales (Base, Colector, Emisor)

Aplicaciones

• Control de motores DC de potencia media
• Fuentes de alimentación reguladas y switching
• Amplificadores de audio de potencia
• Drivers para relés y solenoides
• Circuitos de conmutación PWM
• Inversores y convertidores DC-DC
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y otros microcontroladores
• Sistemas de control industrial
• Automatización y robótica
• Reparación de equipos electrónicos

El transistor TIP41C es un componente esencial para tu taller o laboratorio de electrónica. Su versatilidad y confiabilidad lo convierten en una excelente inversión para estudiantes, makers, técnicos y profesionales. Aprovecha nuestro precio competitivo y añade este TIP41C a tu inventario de componentes electrónicos hoy mismo. ¡Ideal para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia!

Compartir

The post TIP41C appeared first on Sigma Electrónica.

Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como interruptor y a 100 MHz como amplificador.

Especificaciones: 

• Voltaje colector – base: 40 V.
• Voltaje colector – emisor: 60 V.
• Voltaje emisor – base: 6 V.
• Corriente colector: 200 mA.
• Disipación de potencia: 625 mW.
• Rango de temperatura: -55 °C ~ 150 °C.
• Empaque:  TO-92.

Compartir

The post 2N3904 appeared first on Sigma Electrónica.

con una base epitaxial de silicio en caja metálica Jedec  y empaque TO-3. Está destinado a para circuitos de conmutación de potencia, reguladores reguladores en serie y en derivación, etapas de salida y de alta fidelidad.

Especificaciones: 

• Voltaje colector – base: 100 V.
• Voltaje colector – emisor: 60 V ~ 70 V.
• Voltaje emisor – base: 7 V.
• Corriente colector: 15 A.
• Corriente base: 7 A.
• Disipación de potencia: 100 W.
• Rango de temperatura: -65 °C ~ 200 °C.
• Empaque:  TO-3.

Compartir

The post 2N3055 appeared first on Sigma Electrónica.