El STW20NK50Z es un transistor MOSFET de potencia N-Channel diseñado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta eficiencia. Fabricado con tecnología SuperMESH de STMicroelectronics, ofrece baja resistencia en conducción, alta capacidad de corriente y excelente rendimiento en conmutación rápida.

Este componente es ampliamente utilizado en fuentes conmutadas (SMPS), inversores, PFC (corrección de factor de potencia), drivers de motores y aplicaciones industriales de potencia. Incluye protección Zener integrada entre compuerta y fuente, lo que mejora su resistencia a picos de voltaje y descargas electrostáticas.

Según hoja de datos oficial, está optimizado para operación en sistemas exigentes donde se requiere alta confiabilidad y eficiencia energética.

Características:

• Tipo: MOSFET N-Channel SuperMESH.
• Voltaje Drain-Source (VDS): 500 V.
• Corriente de drenaje (ID): hasta 20 A (a temperatura de carcasa).
• Resistencia RDS(on): ~0.23 Ω típica.
• Potencia máxima: 190 W.
• Encapsulado: TO-247.
• Tecnología: STMicroelectronics SuperMESH.
• Protección: diodos Zener internos en compuerta (ESD y transientes).
• Alta capacidad de dv/dt para conmutación exigente.
• Baja capacitancia interna para mejor eficiencia.
• Alta capacidad de avalancha (100% probado).
• Aplicaciones: SMPS, inversores, PFC, control de motores y potencia industrial.

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El STP6NA60 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de potencia y conmutación de alta velocidad. Soporta altos voltajes y corrientes moderadas, lo que lo hace ideal para fuentes conmutadas (SMPS), inversores, drivers de motor y equipos de electrónica de potencia. Su baja resistencia interna y alta eficiencia permiten un funcionamiento confiable en circuitos exigentes.

Características:

• Tipo: MOSFET N-Channel (modo de enriquecimiento).
• Voltaje Drain-Source (VDS): 600V.
• Corriente de drenaje (ID): hasta 6.5A.
• Resistencia RDS(on) típica: ~1 Ω.
• Alta velocidad de conmutación.
• Voltaje Gate-Source: ±30V.
• Alta resistencia a avalanchas eléctricas.
• Baja capacitancia interna para mejor eficiencia.
• Encapsulado tipo TO-220 (según versión).
• Ideal para fuentes conmutadas (SMPS), inversores y control de potencia.
• Aplicaciones en equipos industriales, soldadura y motores.

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El IRFP250 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y media tensión. Con capacidad de manejar hasta 30 amperios de corriente continua y voltajes de hasta 200V, este componente es la solución ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, drivers de motor DC y sistemas de control de potencia. Su baja resistencia en estado ON de apenas 75 miliohms garantiza mínimas pérdidas por conducción y alta eficiencia energética.

Fabricado con tecnología HEXFET de International Rectifier, el IRFP250 ofrece excelente rendimiento térmico y capacidad de conmutación rápida, haciéndolo perfecto para circuitos PWM de alta frecuencia. Su robusto encapsulado TO-247 facilita la disipación de calor y permite montaje sencillo en disipadores térmicos estándar.

Características principales

• Tecnología HEXFET de alta eficiencia y confiabilidad
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de 75mΩ para mínimas pérdidas
• Capacidad de corriente continua de drenador de 30A
• Voltaje drenador-fuente de 200V para aplicaciones de media tensión
• Disipación de potencia de 214W con refrigeración adecuada
• Encapsulado TO-247 robusto y fácil de montar
• Tiempos de conmutación rápidos para aplicaciones de alta frecuencia
• Rango de voltaje compuerta-fuente de ±20V

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP250 / IRFP250N
• Tipo: MOSFET HEXFET de potencia, canal N
• Voltaje drenador-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenador-fuente en ON (RDS(on)): 75mΩ máximo
• Corriente continua de drenador (ID): 30A
• Corriente de avalancha (IAR): 30A
• Disipación de potencia (PD): 214W a 25°C
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media potencia
• Inversores DC-AC para sistemas solares y UPS
• Convertidores DC-DC Buck, Boost y Buck-Boost
• Drivers y controladores de motores DC brushless
• Cargadores de baterías de alta corriente
• Sistemas de control PWM para iluminación LED de potencia
• Amplificadores de audio clase D
• Soldadoras por punto y sistemas de calentamiento por inducción
• Controladores de velocidad para motores industriales

El Mosfet IRFP250 es un componente esencial para diseñadores e ingenieros electrónicos que buscan rendimiento y confiabilidad en sus proyectos de potencia. Su excelente relación precio-desempeño lo convierte en la opción preferida para aplicaciones industriales, automotrices y de energías renovables. ¡Adquiere tu IRFP250 ahora y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel con un componente probado y confiable!

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El IRF630 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por VISHAY, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y voltaje. Este componente electrónico es una solución confiable y eficiente para proyectos que requieren control de cargas eléctricas, desde fuentes de alimentación conmutadas hasta sistemas de control de motores DC. Con una capacidad de manejo de hasta 200V y 9 amperios continuos, el IRF630 se convierte en una opción versátil para ingenieros, técnicos y aficionados a la electrónica en Colombia.

Gracias a su bajo valor de resistencia en conducción (RDS on) de 400mΩ, este MOSFET minimiza las pérdidas de energía durante la operación, lo que se traduce en mayor eficiencia y menor generación de calor. Su empaque TO-220AB facilita la instalación en circuitos impresos y permite la colocación de disipadores de calor cuando sea necesario para aplicaciones de alta potencia.

Características principales

• Voltaje drenaje-fuente (VDS) de hasta 200V para aplicaciones de alto voltaje
• Corriente de drenaje continua de 9 amperios a 25°C
• Baja resistencia en conducción de 400mΩ para máxima eficiencia
• Potencia máxima de disipación de 74W
• Rápida velocidad de conmutación ideal para aplicaciones PWM
• Empaque TO-220AB estándar de fácil montaje
• Fabricado por VISHAY, garantía de calidad y confiabilidad
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos profesionales y educativos

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRF630
• Fabricante: VISHAY
• Tipo: MOSFET de potencia Canal N
• Voltaje drenaje-fuente (VDS): 200V
• Corriente de drenaje continua (ID): 9A a 25°C
• Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS on): 400mΩ
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Potencia máxima de disipación: 74W
• Empaque: TO-220AB
• Temperatura de operación: -55°C a +175°C

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC
• Control de motores DC y drivers de potencia
• Inversores y UPS (sistemas de alimentación ininterrumpida)
• Control de iluminación LED de alta potencia mediante PWM
• Reguladores de voltaje y circuitos de protección
• Amplificadores de audio clase D
• Sistemas de carga de baterías
• Controladores de calentadores y cargas resistivas
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores
• Automatización industrial y domótica

El IRF630 es un componente esencial para cualquier banco de trabajo de electrónica. Su versatilidad y robustez lo hacen perfecto tanto para prototipos como para productos finales en aplicaciones industriales y comerciales. Si buscas un MOSFET confiable, eficiente y de excelente calidad para tus proyectos en Colombia, el IRF630 de VISHAY es la elección correcta. ¡Añádelo a tu carrito ahora y lleva tus proyectos electrónicos al siguiente nivel!

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El FDL100N50F es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por Fairchild, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Con capacidad de manejar hasta 500V y 100A, este componente es ideal para proyectos de electrónica de potencia donde se requiere conmutación eficiente y control preciso de cargas pesadas. Su robusto empaque TO-264 garantiza excelente disipación térmica y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

• Voltaje drain-source (VDSS) de 500V para aplicaciones de alta tensión
• Corriente continua de drenador (ID) de 100A a 25°C
• Disipación de potencia de 2500W a 25°C
• Voltaje gate-source (VGSS) de ±30V para control versátil
• Empaque TO-264 optimizado para montaje en disipadores de calor
• Baja resistencia en estado activo para mínimas pérdidas
• Tecnología MOSFET de canal N para conmutación rápida
• Excelente estabilidad térmica y alta eficiencia energética

Especificaciones técnicas

• Modelo: FDL100N50F
• Fabricante: Fairchild Semiconductor
• Tipo: MOSFET Canal N
• Voltaje drain-source máximo (VDSS): 500V
• Voltaje gate-source (VGSS): ±30V
• Corriente de drenador continua (ID): 100A a 25°C
• Potencia disipada (PD): 2500W a 25°C
• Empaque: TO-264
• Configuración: 3 terminales (Gate, Drain, Source)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
• Control de motores DC y AC de alta corriente
• Convertidores DC-DC elevadores y reductores
• Sistemas de soldadura por inversor
• Cargadores de baterías industriales
• Equipos de tracción eléctrica
• Amplificadores de audio clase D de alta potencia
• Sistemas de calefacción por inducción
• Variadores de frecuencia industriales

El FDL100N50F es la solución perfecta para ingenieros y técnicos que buscan un MOSFET confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de alta tensión, corriente robusta y excelente capacidad de disipación lo convierten en un componente esencial para aplicaciones industriales y profesionales. ¡Adquiere tu FDL100N50F ahora y lleva tus proyectos de potencia al siguiente nivel! Disponible con envío a toda Colombia.

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El IRF840 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier con tecnología HEXFET®, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo de altas tensiones. Este componente electrónico es fundamental en proyectos de electrónica de potencia, control de motores DC, fuentes conmutadas y circuitos inversores, ofreciendo excelente rendimiento y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de solo 0.850Ω, minimizando pérdidas por calor
• Alta velocidad de conmutación ideal para PWM y control de frecuencia
• Encapsulado TO-220 estándar, fácil montaje en disipador
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos profesionales y DIY
• Amplio rango de temperatura de operación

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRF840
• Fabricante: International Rectifier
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Voltaje Drain-Source (VDSS): 500V
• Corriente de Drain continua (ID): 8A
• Resistencia Drain-Source en conducción (RDS(on)): 0.850Ω
• Encapsulado: TO-220
• Configuración: Canal N enhancement mode

Aplicaciones

• Control de velocidad de motores DC de media y alta potencia
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC
• Circuitos inversores para sistemas de energía solar
• Controladores PWM para iluminación LED de alta potencia
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Sistemas de control industrial y automatización
• Amplificadores de audio clase D
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores

El MOSFET IRF840 es la solución perfecta para ingenieros, técnicos y makers que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su disponibilidad inmediata y precio competitivo lo convierten en una opción ideal para prototipos y producción. ¡Adquiere tu IRF840 ahora y lleva tus proyectos al siguiente nivel!

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El IRFP22N50A es un transistor Mosfet de potencia de tecnología HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Este componente electrónico de última generación ofrece un rendimiento excepcional en conmutación rápida, baja resistencia en conducción y alta capacidad de manejo de potencia, convirtiéndolo en la solución ideal para proyectos profesionales y aplicaciones industriales que demandan eficiencia y confiabilidad.

Características principales

• Tecnología HEXFET® avanzada de International Rectifier que garantiza máxima eficiencia
• Canal N de alta velocidad de conmutación para aplicaciones críticas
• Resistencia drain-source ultra baja de 0.23Ω que minimiza pérdidas por conducción
• Capacidad de corriente continua de 22 amperios para cargas exigentes
• Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica y fácil montaje
• Diseño robusto que asegura larga vida útil en condiciones extremas
• Compatible con drivers estándar de Mosfet para facilitar la implementación

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFP22N50A
• Voltaje Drain-Source (V_DSS): 500V
• Corriente de Drain (I_D): 22A continua
• Resistencia Drain-Source en conducción (R_DS(on)): 0.23Ω típica
• Disipación de potencia (P_D): 277W a 25°C
• Voltaje Gate-Source (V_GS): ±30V máximo
• Tipo de canal: N
• Encapsulado: TO-247AC (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y energía renovable
• Controladores de motores DC y sistemas de tracción eléctrica
• Convertidores DC-DC para aplicaciones industriales
• Balastos electrónicos para iluminación profesional
• Sistemas UPS y protección de energía
• Amplificadores de audio clase D de alta fidelidad
• Cargadores de baterías de alta corriente
• Equipos de soldadura por inversor
• Automatización industrial y control de cargas pesadas

El IRFP22N50A representa la mejor opción para ingenieros y técnicos en Colombia que buscan un Mosfet de potencia confiable y de alto rendimiento. Su excelente relación precio-calidad y especificaciones profesionales lo hacen perfecto tanto para prototipos como para producción en serie. ¡Adquiere tu IRFP22N50A ahora y lleva tus proyectos electrónicos al siguiente nivel con componentes de calidad internacional!

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El IRF510 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con tecnología HEXFET® por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación rápida y control de cargas de mediana potencia. Este componente electrónico es ampliamente utilizado en proyectos con Arduino, ESP32, Raspberry Pi y sistemas de automatización industrial gracias a su excelente relación entre resistencia de encendido y capacidad de corriente.

Con su encapsulado TO-220AB, el IRF510 ofrece una solución robusta y confiable para ingenieros, técnicos electrónicos, makers y estudiantes que requieren controlar motores DC, cargas inductivas, fuentes conmutadas o sistemas de iluminación LED de alta potencia desde microcontroladores y circuitos lógicos.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia de encendido RDS(on) de 0.54Ω minimiza pérdidas de potencia
• Encapsulado TO-220AB con disipador integrado para fácil montaje
• Conmutación rápida ideal para fuentes switching y PWM
• Compatible con lógica de 5V y 3.3V mediante circuitos driver apropiados
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos electrónicos
• Ampliamente disponible y con documentación técnica completa

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRF510
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Tensión Drenaje-Fuente (VDSS): 100V
• Corriente de Drenaje continua (ID): 5.6A
• Resistencia Drenaje-Fuente en conducción RDS(on): 0.54Ω máximo
• Disipación de potencia (PD): 43W
• Tensión Gate-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 5.6A
• Encapsulado: TO-220AB

Aplicaciones

• Control de motores DC de hasta 5A con Arduino, ESP32 o PIC
• Fuentes de alimentación conmutadas (switching) de mediana potencia
• Inversores DC-AC y convertidores Buck/Boost
• Control PWM para regulación de velocidad de motores
• Drivers para tiras LED y iluminación de alta potencia
• Automatización industrial y domótica
• Proyectos educativos de electrónica de potencia
• Prototipos y desarrollos en robótica móvil
• Sistemas de carga de baterías controlados

El MOSFET IRF510 es la elección perfecta para tus proyectos de electrónica en Colombia. Su disponibilidad inmediata, precio competitivo de $2,800 COP y características técnicas superiores lo convierten en un componente esencial para cualquier banco de trabajo electrónico. Adquiere ahora tu IRF510 y lleva tus proyectos al siguiente nivel con componentes originales de International Rectifier.

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