Diodos Schottky – Sigma Electrónica

1N5819

Sigma Electrónica — Sat, 26 Apr 2014 09:28:32 +0000

Diodo rectificador schottky de barrera.

Caracterizado por ofrecer protección sobre tensión, perdidas de conducción muy pequeñas, conmutación de alta velocidad (<1 ns), funcionamiento a alta frecuencia y baja perdida de tensión directa. Ideal para su uso como rectificadores en inversores de baja tensión y alta frecuencia, diodos de rueda libre y diodos diodos de protección de la polaridad.

Especificaciones:

Voltaje inverso máximo: 40 V.
Voltaje inverso no repetitivo máximo: 48 V.
Voltaje RMS inverso: 28 V.
Corriente directa máxima: 1 A.
Corriente pico no repetitiva máxima: 25 A.
Rango de temperatura: -65 °C ~ 125 °C.
Empaque: DO-41.

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1N5822

Sigma Electrónica — Thu, 05 Jun 2008 08:42:35 +0000

Diodo rectificador schottky de barrera

Diodo rectificador sencillo de baja caída de tensión en directo y alta estabilidad a altas temperaturas. Es de baja perdida de potencia con alta eficiencia. Además de una baja carga almacenada, mayormente portadora. Ideal para inversores de baja tensión y alta frecuencia, diodos diodos de rueda libre, y diodos de protección de la polaridad.

Especificaciones:

Voltaje inverso máximo: 40V.
Voltaje inverso no repetitivo: 48V.
Voltaje RMS inverso: 28V.
Tensión directa: 950mV.
Corriente rectificada máxima: 3A.
Corriente directa no repetitiva: 80A.
Rango de temperatura: -60 °C ~ 125 °C.
Empaque: DO-201AD.

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1N5817

Sigma Electrónica — Thu, 05 Jun 2008 08:41:57 +0000

Diodo rectificador Schottky de barrera.

Especificaciones:

Voltaje inverso máximo: 20 V.
Voltaje inverso no repetitivo máximo: 24 V.
Voltaje RMS inverso: 14 V.
Corriente directa máxima: 1 A.
Corriente pico no repetitiva máxima: 25 A.
Rango de temperatura: -65 °C ~ 125 °C.
Empaque: DO-41.

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