Integra dos amplificadores en una red polarizada de tipo común. No requiere compensación de frecuencia, no posee enclavamiento se excede el rango del modo común de entrada. Tiene altos rangos de rangos de voltaje diferencial y modo común, posee circuitos de protección contra cortos circuitos, además de ser de bajo consumo.

Especificaciones: 

• Tipo de suministro: Dual.
• Rango de voltaje de alimentación: 6 V ~ 36 V.
• Rango de voltaje dual: +/- 3V ~ +/- 18V.
• Tensión de salida: 6 mV.
• Cantidad de canales: 2.
• Polarización de entrada de tensión (Ib): 500 nA.
• Corriente de suministros: 2 mA.
• Corriente de salida por canal: 45 mA.
• Disipación de potencia: 400 mW.
• Ganancia de voltaje: 104.08 dB.
• Ancho de banda (GBP): 1 MHz.
• Velocidad de precisión (VP):  500 mV/us.
• Proporción de rechazo en modo común (CMRR): 90 dB.
• Proporción de rechazo de suministro de energía: (PSRR): 77 dB.
• Rango de temperatura: 0 °C ~ 70 °C.
• Empaque: PDIP-8.

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Consta de cuatro amplificadores operacionales independientes, de alta ganancia y con compensación de frecuencia interna diseñados específicamente para operar desde una sola fuente de alimentación en una amplia gama de voltajes.

Especificaciones:

• Voltaje de alimentación: ±1.5V ∼ 16V.
• Corriente de alimentación: 1.4mA.
• Corriente de Salida: 40mA.
• Voltaje de desviación de entrada: 3mV.
• Número de salidas: 4.
• Velocidad de respuesta: 0.5V/µs.
• Ancho de banda de ganancia: 1.2MHz.
• Temperatura de funcionamiento: -55°C ∼ 125°C.
• Empaque: 14-CDIP.

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Doble amplificador operacional de precisión, provee de una alta estabilidad a un amplio rango de desviación de voltaje de entrada y alta impedancia de entrada.

Empaque DIP-8.

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Amplificador Operacional, bajo ruido, alta precisión con señales de baja amplitud.

• Temperatura de operacion: 0ºC a 70ºC.
• Empaque: DIP 8 pines.

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El LM392 combina un amplificador operacional de alta ganancia con compensación interna de frecuencia y un comparador de voltaje de precisión. Ambos circuitos están diseñados para operar con una única fuente de alimentación en un rango de 3V a 32V, incluyendo tierra en su rango de voltaje de modo común. Se presenta en un encapsulado 8-DIP para facilitar su integración en diversos diseños electrónicos.

Características Básicas:

• Rango de voltaje de alimentación: 3V a 32V
• Bajo consumo de corriente en reposo: 600 µA
• Voltaje de offset de entrada: 2 mV
• Corriente de polarización de entrada: 50 nA
• Ancho de banda del amplificador operacional: 1 MHz
• Ganancia de voltaje en DC: 100 dB
• Encapsulado: 8-DIP

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Consta de dos amplificadores operacionales independientes, de alta ganancia y con compensación de frecuencia interna, diseñados específicamente para operar desde una sola fuente de alimentación en un amplio rango de voltaje.

Especificaciones:

• Voltaje de alimentación: ± 1.5 V ∼ 13 V.
• Numero de salidas: 2.
• Velocidad de respuesta: 0.1 V/µs.
• Ganancia de ancho de banda: 1 MHz.
• Corriente de alimentación: 1 mA.
• Corriente de salida por canal: 40 mA.
• Temperatura de funcionamiento: -40 °C ∼ 85 °C.
• Empaque: 8 DIP.

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Amplificador operacional de entrada JFET, diseñados para aplicaciones de baja potencia. Cuentan con alta impedancia de entrada, baja corriente de polarización de entrada y baja corriente de compensación de entrada.

Especificaciones:

• Voltaje de alimentación: ±5V ∼ 18V.
• Número de salidas: 4.
• Velocidad de respuesta: 1V/µs.
• Ancho de banda de ganancia: 1MHz.
• Corriente de derivación de entrada: 10pA.
• Voltaje de desviación de entrada: 3mV.
• Corriente de alimentación: 600µA.
• Temperatura de funcionamiento: 0°C ∼ 70°C.
• Empaque: 14-DIP.

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Amplificadores operacionales monolíticos con entrada JFET. Están diseñados para una alta velocidad  amplio ancho de banda, tiempo de asentamiento extremadamente rápido, bajo voltaje y ruido de corriente.

Especificaciones:

• Voltaje Alimentación: ± 15V.
• Corriente de alimentación: 5mA.
• Numero de salidas: 1.
• Velocidad de subida: 12V/µs.
• Ganancia de ancho de banda: 5MHz.
• Temperatura de funcionamiento: 0 °C ∼ 70 °C.
• Empaque: 8-DIP.

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Amplificador operacional que combina transistores bipolares y CMOS. Los transistores MOSFET  se utilizan en el circuito de entrada para proporcionar una impedancia de entrada muy alta, una corriente de entrada muy baja y un alto rendimiento de velocidad. Como circuito de salida se emplea un par de transistores CMOS, capaz de balancear el voltaje de salida dentro de los 10 mV de cualquiera de los terminales de voltaje.

Especificaciones:

• Voltaje de alimentación: 5V ∼ 16V, ±2.5V ∼ 8V.
• Corriente de alimentación: 10mA.
• Corriente de salida: 45mA.
• Velocidad de respuesta: 30V/µs.
• Ancho de banda de ganancia: 15MHz.
• Temperatura de funcionamiento: -55°C ∼ 125°C.
• Empaque: 8-DIP.

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