integra una memoria SRAM de hasta 256 KBytes. Caracterizada por ser una volátil, estática y de acceso aleatorio. Necesita de una señal de reloj (SCK) y es controlado por un pin digital (CP). Adapta la tecnología CMOS Low-power para un bajo consumo de corriente (hasta 3 mA @1 Khz en lectura). ideal para proyectos de almacenamiento de datos en tiempo de ejecución.

Especificaciones: 

• Voltaje de alimentación: 2.7 V ~ 3.6 V.
• Consumo de corriente:
  • Standby: 4 uA @3.0 V.
  • Lectura: 3 mA @1 KHz.
• Memoria SRAM: 256 KBytes.
• Capacitancia: 7 pF @1MHz.
• Interfaz: SPI.
• Rango de temperatura: -40 °C ~ 85 °C.
• Empaque: 8-PDIP.

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La M48Z128Y-70PM1 es una memoria SRAM no volátil de 1 Mbit (128K x 8 bits) que combina una SRAM CMOS con una batería de litio interna y un circuito de control en un módulo DIP de 32 pines. Este diseño integrado garantiza la retención de datos a largo plazo sin necesidad de mantenimiento externo. Con un tiempo de acceso de 70 ns y una interfaz paralela, es ideal para aplicaciones que requieren almacenamiento rápido y confiable. Opera en un rango de voltaje de 4,5 V a 5,5 V y está encapsulada en un módulo DIP de 32 pines (PMDIP32) con un ancho de 0,6 pulgadas.

Características Básicas:

• Capacidad de memoria: 1 Mbit (128K x 8 bits)
• Tiempo de acceso: 70 ns
• Interfaz: Paralela
• Voltaje de operación: 4,5 V a 5,5 V
• Rango de temperatura de operación: 0 °C a 70 °C
• Encapsulado: PMDIP32 de 32 pines (ancho de 0,6 pulgadas)

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Memoria RAM no volatil (NV RAM).

Capacidad: 256Kbit (32Kb x 8).

Tiempo de acceso: 70nS.

Interfaz: Paralelo.

Voltaje de operación: 4,5 ~ 5,5 VDC.

Corriente de operación: 50mA.

Temperatura de operación: 0 ~ 70 °C.

Empaque: PCDIP (ancho 0.6"), 28 pines.

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Son SRAM no volátiles, totalmente estáticas y de 262 144 bits organizadas en 32 768 palabras por 8 bits. Cada NV SRAM tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitorea constantemente el VCC para detectar una condición fuera de tolerancia. Cuando ocurre tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura se habilita incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. Los dispositivos DS1230 con paquete DIP se pueden usar en lugar de las RAM estáticas de 32k x 8 existentes que se ajustan directamente al popular estándar DIP de 28 pines de ancho de byte. Los dispositivos DIP también coinciden con el pinout de las EEPROM 28256, lo que permite la sustitución directa y mejora el rendimiento. Los dispositivos DS1230 en el paquete del módulo de perfil bajo están diseñados específicamente para aplicaciones de montaje en superficie. No hay límite en la cantidad de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz del microprocesador.

Especificaciones:

• Memoria SRAM, no volatil (NV SRAM).
• Capacidad: 32K x 8bits.
• Interfaz: Paralelo.
• Velocidad: 100nS.
• Empaque: DIP(ancho 0.6″), 28 pines.

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El TMS4164 es un circuito integrado de memoria DRAM de 64K (65,536 bits), diseñado para almacenamiento de alta velocidad en sistemas electrónicos.

Características principales:

• Capacidad: 64Kbits (8K x 8).
• Velocidad: Acceso rápido para aplicaciones dinámicas.
• Tecnología: Compatible con lógica TTL.
• Empaque: DIP de 16 pines.

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El CAT22C10P es una memoria RAM estática no volátil de 256 bits, organizada en 64 palabras de 4 bits cada una. Este dispositivo combina una matriz de SRAM de alta velocidad con una matriz de EEPROM no volátil, permitiendo la transferencia de datos entre ambas mediante operaciones de almacenamiento (STORE) y recuperación (RECALL).

Características principales:

• Capacidad de memoria:
  • 256 bits organizados en 64 palabras de 4 bits.
• Operaciones de almacenamiento y recuperación:
  • Operación STORE (SRAM a EEPROM) con un tiempo máximo de 10 ms.
  • Operación RECALL (EEPROM a SRAM) típica de 1,5 µs.
• Empaque:
  • Disponible en encapsulado DIP de 18 pines.

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El UPD431000 es un circuito integrado de memoria RAM estática (SRAM) fabricado por NEC, con capacidad de 1 Mbit organizada en 128.000 palabras de 8 bits cada una. A diferencia de las memorias DRAM, este dispositivo no requiere ciclos de refresco periódico, lo que simplifica el diseño del sistema y reduce la carga sobre el procesador. Construido en tecnología CMOS de bajo consumo, el UPD431000 se emplea en sistemas embebidos, equipos industriales, controladoras de comunicación y proyectos de electrónica digital donde se necesita acceso aleatorio a datos con tiempos de respuesta predecibles y estables.

Características principales

• Capacidad de 1 Mbit con organización de 128K palabras × 8 bits, accesible de forma aleatoria
• Tecnología CMOS estática: retiene datos mientras haya alimentación, sin necesidad de refresco
• Bajo consumo en modo standby, adecuado para diseños con batería o fuentes de alimentación limitadas
• Empaque 32-DIP (Dual In-line Package) compatible con zócalos estándar y protoboard
• Tiempos de acceso típicos entre 70 ns y 100 ns según la variante de velocidad
• Compatible con lógica TTL y CMOS a 5 V, facilita la integración en diseños clásicos

Especificaciones técnicas

• Fabricante: NEC
• Referencia: UPD431000
• Tipo de memoria: SRAM (Static Random Access Memory)
• Capacidad total: 1 Mbit (1.048.576 bits)
• Organización: 128K × 8 bits
• Empaque: 32-DIP
• Tecnología de proceso: CMOS
• Tensión de alimentación: 5 V

Aplicaciones

• Expansión de memoria en sistemas basados en microprocesadores clásicos como Z80, 6502 o 68000
• Almacenamiento temporal de datos en equipos industriales, PLCs y terminales de control
• Buffer de datos en sistemas de adquisición de señales y comunicación serial
• Restauración y emulación de computadoras de 8 y 16 bits de las décadas de 1980 y 1990
• Caché de trabajo en controladoras de disco, módems industriales y equipos de telecomunicaciones
• Prototipado de hardware donde se requiere SRAM de alta capacidad en encapsulado DIP de montaje directo

El UPD431000 es una elección técnicamente sólida para ingenieros y diseñadores que trabajan con arquitecturas de procesador clásicas o que necesitan memoria SRAM confiable en empaque DIP. Su combinación de bajo consumo en standby, tiempos de acceso predecibles y compatibilidad directa con lógica estándar de 5 V lo hace igualmente útil en desarrollos nuevos con componentes de inserción radial y en la reparación de equipos electrónicos de generaciones anteriores.

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El UPD43256 es un circuito integrado de memoria RAM estática (SRAM) fabricado por NEC, con una capacidad de organización 32.768 x 8 bits (32 KB). A diferencia de las memorias dinámicas, no requiere ciclos de refresco, lo que simplifica el diseño del hardware y reduce la carga sobre el procesador. Es un componente ampliamente utilizado en sistemas embebidos, equipos industriales, tarjetas controladoras y proyectos de electrónica digital donde se necesita almacenamiento rápido y confiable de datos durante la operación del sistema.

Características principales

• Organización de 32.768 palabras x 8 bits (32K bytes de capacidad total)
• Tecnología SRAM: no requiere refresco periódico, operación completamente estática
• Encapsulado DIP-28 de inserción en orificio, compatible con zócalos estándar
• Bajo consumo en modo en espera (standby), adecuado para aplicaciones con batería
• Interfaz de bus de datos de 8 bits con señales de control CE, OE y WE
• Tiempos de acceso disponibles en variantes de 70 ns hasta 150 ns

Especificaciones técnicas

• Fabricante: NEC
• Referencia: UPD43256
• Tipo de memoria: SRAM (Static Random Access Memory)
• Capacidad: 32K x 8 bits (262.144 bits)
• Encapsulado: DIP-28 (Dual Inline Package, 28 pines)
• Tensión de operación: 5 V (TTL compatible)
• Señales de control: Chip Enable (CE), Output Enable (OE), Write Enable (WE)

Aplicaciones

• Expansión de memoria en sistemas con microprocesadores Z80, 8085, 6502 y similares
• Almacenamiento temporal de datos en controladores industriales y PLCs de pequeña escala
• Memoria de trabajo en equipos de comunicación serial y módems legacy
• Proyectos de retrocomputación y restauración de hardware clásico que requieren SRAM DIP
• Búferes de datos en sistemas de adquisición de señales y equipos de medición
• Desarrollo de prototipos con microcontroladores que requieren memoria externa adicional

El UPD43256 es una solución consolidada para aplicaciones donde la simplicidad del diseño y la confiabilidad del almacenamiento estático son prioritarias. Su encapsulado DIP-28 facilita la integración en protoboards y tarjetas de circuito impreso con zócalos convencionales, lo que lo hace especialmente útil en entornos educativos, de prototipado y de mantenimiento de equipos electrónicos. Es el componente indicado para ingenieros, técnicos y makers que trabajan con arquitecturas de bus paralelo y necesitan memoria SRAM de acceso directo sin complicaciones de refresco.

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